大口径バルク窒化ガリウム（GaN）基板

パワーエレクトロニクス用大口径バルク窒化ガリウム（GaN）基板の実証開発に取り組んでいます。本実証開発では世界最大級のGaN基板製造実証設備を使い、高品質なGaN基板の低コスト製造技術「SCAATTM-LP」を用いた4インチGaN基板の量産に向けた結晶成長試験を進めており、このたび4インチGaN結晶が計画通りに結晶成長していることを確認しました。