反強誘電体トランジスタメモリ

三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発~IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待~ 0403電子応用

三次元垂直チャネル型の強誘電体/反強誘電体メモリデバイスを開発~IoTデバイスのメモリ大容量化へ期待~

2022-06-12 東京大学○発表者:小林 正治(東京大学 生産技術研究所 准教授)浦岡 行治(奈良先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科 教授)○発表のポイント:◆酸化物半導体を三次元構造へ均一に成膜する技術を開発し、高密度かつ低消...
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