反強磁性体Mn3Sn

室温で駆動する新しい量子トンネル磁気抵抗効果の発見 ~ピコ秒帯域で駆動する超高速・高密度・低消費電力メモリーの開発へ大きな一歩~ 0403電子応用

室温で駆動する新しい量子トンネル磁気抵抗効果の発見 ~ピコ秒帯域で駆動する超高速・高密度・低消費電力メモリーの開発へ大きな一歩~

2023-01-19 東京大学発表のポイント 近年、現状のシリコン半導体技術の性能を超えた高速、かつ、低消費電力な情報処理技術の開発が強く求められている。従来型の低消費電力な不揮発性の磁気抵抗メモリ(MRAM)は強磁性体の磁化が必要であり、...
歪みによる異常ホール効果のスイッチングに成功~ピエゾ磁気効果を用いた反強磁性体への情報の書き込み技術を開発~ 1700応用理学一般

歪みによる異常ホール効果のスイッチングに成功~ピエゾ磁気効果を用いた反強磁性体への情報の書き込み技術を開発~

2022-08-19 東京大学ムハンマド イクラス(物理学専攻 特任研究員)肥後 友也(物理学専攻 特任准教授/物性研究所 リサーチフェロー 併任)サヤック ダスグプタ(ブリティッシュコロンビア大学 特任研究員/物性研究所 特任研究員 併任...
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