0404情報通信 次世代半導体中の欠陥からの磁場による発光の増強と単一光子発生～量子情報通信のためのデバイスの高性能化への新たなアプローチ～
2025-06-12 京都大学京都大学の篠北啓介助教らは、二次元半導体素材WSe₂（タングステン二セレン）中にわずかな欠陥を導入し、微弱な外部磁場を印加することで、単一光子の発光強度を制御できることを発見しました。磁場によって欠陥部位からの...
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