0403電子応用 マサチューセッツ工科大学が3Dチップを開発（MIT engineers grow high-rise 3D chips）
2024-12-18 マサチューセッツ工科大学MITのエンジニアチームは、電子デバイスの層をシームレスに積み重ねることで、より高速で高密度、強力なコンピュータチップを作成する方法を開発しました。この手法では、半導体粒子を直接他の半導体層の上...
半導体
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0403電子応用 グラフェンと窒化ホウ素の特殊な「サンドイッチ」が、次世代マイクロエレクトロニクスにつながるかもしれない(A particular ’sandwich’ of graphene and boron nitride may lead to next-gen microelectronics)
2023-04-20 バッファロー大学(UB)グラフェンとホウ素窒化物の「サンドイッチ」構造が、新世代マイクロエレクトロニクスの可能性を秘めていることが示された。グラフェンは二次元材料であり、単層の厚さがあり、導電性があるため、単独では使い...
0403電子応用 光の中で半導体のナノ運動とフォースを読む ～光による構造的強さの変化を測るために～
2021-02-18 名古屋大学,科学技術振興機東海国立大学機構 名古屋大学 大学院工学研究科の中村 篤智 准教授、松永 克志 教授らの研究グループは、独ダルムシュタット工科大学のＸｕｆｅｉ Ｆａｎｇ （シューフェイ・ファン） 博士および東...
0403電子応用 非破壊で次世代パワーデバイス材料の結晶欠陥を検出できる技術を開発
ラマンマッピング像から窒化ガリウム（GaN）半導体結晶の欠陥を検出する技術を開発した。
0403電子応用 わずか２分子の厚みの超極薄×大面積の半導体を開発
半導体の膜厚を分子レベルで制御するため、π電子骨格に連結したアルキル鎖の長さが自由に変えられるという特長を活かす、新たな製膜法を開発しました。従来の常識を大きく超える大面積にわたって究極の薄さをたもつ、きわめて高均質かつ高性能な超極薄半導体が得られました。