光多値メモリ

二次元層状物質を使った光多値メモリの開発に成功 0403電子応用

二次元層状物質を使った光多値メモリの開発に成功

2020-08-25 物質・材料研究機構 NIMSは、光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリ素子を開発しました。本成果は、記録容量の大幅な向上に寄与するだけでなく、光と電子を繋いださまざまな素子に発展することが期待されます。...
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