0403電子応用 低消費電力なメモリデバイスに貢献する新材料の開発に成功～独自の窒化物材料を改良し、次世代メモリの有力候補に名乗り～
2024-12-04 産業技術総合研究所ポイント 強誘電体メモリに使用する新材料として、窒化ガリウム（GaN）に金属添加物（Sc）を従来より高濃度に添加した、GaScN結晶を開発 開発したGaScNでは、従来の窒化物材料と比べ、メモリ動作に...
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