0403電子応用 ビスマス系2次元強誘電酸化物を開発、超低電圧・高耐久強誘電トランジスタを実現（Novel Bismuth-Based 2D Ferroelectric Oxide Pushing the Limits of Ultra-Low Voltage and High Endurance in Ferroelectric Transistors）
20206-02-01 北京大学（PKU）北京大学の彭海琳教授らの研究チームは、原子レベルの薄さでも強誘電性を維持できる新しい2次元強誘電酸化物α-Bi₂SeO₅を開発し、ウエハースケールで均一な超薄膜の作製に初めて成功した。強誘電体はメモ...