二次元層状磁石

世界初、室温における二次元層状磁石の電気的磁気制御～層状物質の隙間を電気的に精密制御し、二次元磁石の磁気特性を効率的に操作～

世界初、室温における二次元層状磁石の電気的磁気制御～層状物質の隙間を電気的に精密制御し、二次元磁石の磁気特性を効率的に操作～

2025-08-29 九州大学九州大学理学研究院の飯森陸助教・木村崇教授らの研究グループは、二次元層状磁石の磁気特性を室温で電気的に制御することに世界で初めて成功しました。研究チームは強磁性体 Fe₃GaTe₂ 薄膜を強誘電体基板（PMN-...

0403電子応用

二次元層状磁石への圧力印加による磁気特性の飛躍的向上～層状物質の隙間を縮め、より優れた二次元磁石へ～

二次元層状磁石への圧力印加による磁気特性の飛躍的向上～層状物質の隙間を縮め、より優れた二次元磁石へ～

2024-10-23 九州大学理学研究院木村崇　教授ポイントスピンの性質を積極的に活用したデバイスが次世代ナノエレクトロニクスとして注目されている。それらのデバイスに革新をもたらす材料として二次元層状物質が期待を集めている。室温で垂...

0402電気応用

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