0402電気応用 二次元半導体ヘテロ界面における磁気バルク光起電力効果の実証～量子力学的な効果を利用した太陽電池デバイスへの新たな設計指針～
2025-06-02 京都大学京都大学エネルギー科学研究科とエネルギー理工学研究所の研究チームは、二次元半導体と磁気層状物質を組み合わせたヘテロ界面において、磁気バルク光起電力効果を実証しました。この効果は、従来のp-n接合型太陽電池の限界...
二次元半導体
0402電気応用 
0403電子応用 中国の科学者、計算能力を向上させる原子レベルの超薄型チップを開発（Chinese scientists develop atoms-thin chips to boost computational power）
2025-04-05 復旦大学中国の研究チームが、原子数層の厚さしかない半導体マイクロプロセッサ「WUJI」を開発しました。この32ビットRISC-Vプロセッサは、二次元半導体を基盤としており、5,900個のトランジスタと25種類の論理ユ...
0403電子応用 次世代3Dトランジスタがエネルギー効率の高い電子機器を変革（Next-Gen 3D Transistors Transform Energy-Efficient Electronics）
2025-03-19 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）の研究者たちは、二次元（2D）半導体を用いた新しい三次元（3D）トランジスタ「NXFET」を開発し、エネルギー効率と性能の...