中性粒子ビームエッチング技術

窒化ガリウムマイクロLEDの発光効率を低電流密度で5倍に高効率化 2004放射線利用

窒化ガリウムマイクロLEDの発光効率を低電流密度で5倍に高効率化

中性粒子ビームエッチング技術を用い、加工ダメージの極めて少ないGaNマイクロLEDを作製した。LEDのサイズを6 マイクロメートルまで小さくしても低電流密度での発光効率を維持。
ad
タイトルとURLをコピーしました