不揮発性メモリーMRAM用の単結晶記憶素子

300 mmウエハー積層により単結晶トンネル接合素子をLSIに集積化 0403電子応用

300 mmウエハー積層により単結晶トンネル接合素子をLSIに集積化

不揮発性メモリーMRAM用の単結晶記憶素子をシリコンLSIに集積化する製造プロセス技術を開発した。
2021-06-01
0403電子応用
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