不揮発性メモリー

強誘電トンネル接合メモリーのTER比は微細化により向上～次世代不揮発メモリーの高性能化に貢献～

2026-01-07 東京科学大学,科学技術振興機構東京科学大学総合研究院フロンティア材料研究所の真島豊教授らの研究グループは、次世代不揮発性メモリーとして注目される強誘電トンネル接合（FTJ）において、素子の微細化によりトンネル電気抵抗効...

2026-01-07

0403電子応用

世界最小磁気トンネル接合素子の高性能動作を実証

超大容量・低消費電力・高性能不揮発性メモリー開発を加速2020-12-07 東北大学,科学技術振興機構ポイント直径がわずか原子１０個程度（２．３ナノメートル）の世界最小高性能磁気トンネル接合素子を開発車載応用可能な１５０度でも高いデータ...

2020-12-08

0403電子応用