ラシュバ・エデルシュタイン効果

強誘電性を持つ半導体のGeTe（Ge：ゲルマニウム、Te：テルル）に磁性元素のMn（マンガン）を添加したマルチフェロイクス材料の薄膜に電流を流すことで、ラシュバ・エデルシュタイン効果により、磁化が反転する現象を観測した。