メモリデバイス開発

高強度テラヘルツパルスを相変化材料ＧｅＳｂＴｅ化合物に照射すると、アモルファス状態からナノスケールで結晶成長する機構を発見した。世界最高強度のテラヘルツパルスの発生技術を駆使することで、ナノスケールの結晶成長が生じることを明らかにした.。