フォルシュングスフェアブントベルリン エーファウ(FBV)

(Energy-efficient power electronics – gallium oxide power transistors with record values)新開発した金属酸化物半導体電界効果トランジスタは、高電流伝導率に加えて高降伏電圧を備える。1.8kV の降伏電圧と 155MW/㎠の記録的な性能指数(FOM)を提供。