パワーデバイス半導体

ホウ素が形成するパワーデバイス半導体中の特異構造~中性子ホログラフィーが拓く3D局所構造サイエンス~ 0403電子応用

ホウ素が形成するパワーデバイス半導体中の特異構造~中性子ホログラフィーが拓く3D局所構造サイエンス~

2022-04-04 名古屋工業大学,茨城大学,広島市立大学,日本原子力研究開発機構,J-PARCセンター 【発表のポイント】 パワーデバイスSiCの軽元素ドーパントの状態を世界で初めて決定しました。 日本でしかできない「白色中性子線ホログ...
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