パワーデバイス半導体

ホウ素が形成するパワーデバイス半導体中の特異構造~中性子ホログラフィーが拓く３Ｄ局所構造サイエンス~

2022-04-04 名古屋工業大学,茨城大学,広島市立大学,日本原子力研究開発機構,J-PARCセンター【発表のポイント】パワーデバイスＳｉＣの軽元素ドーパントの状態を世界で初めて決定しました。日本でしかできない「白色中性子線ホログ...

2022-04-05

0403電子応用