トンネル磁気抵抗 (TMR) 比

素子「界面」の高度な制御で世界最高の磁気抵抗特性を達成～超高感度磁気センサー・超大容量磁気メモリへの期待～

2023-04-13 物質・材料研究機構 NIMSは、素子の「界面」を高度に制御することで、トンネル磁気抵抗 (TMR) 比が室温で世界最高性能となる631%を達成し、従来の最高値を15年ぶりに更新しました。概要国立研究開発法人物質・材...

2023-04-13

0403電子応用