トンネル磁気抵抗

次世代スピントロニクスの道を拓く反強磁性トンネル接合(Interface-controlled Antiferromagnetic Tunnel Junctions Offer New Path for Next-generation Spintronics) 0403電子応用

次世代スピントロニクスの道を拓く反強磁性トンネル接合(Interface-controlled Antiferromagnetic Tunnel Junctions Offer New Path for Next-generation Spintronics)

2025-07-29 中国科学院(CAS)中国科学院の邵定富教授らは、反強磁性金属の界面効果を活用し、強いスピン分極を実現する新型トンネル接合(AFMTJ)を提案した。従来はバルク特性に依存していたが、本研究ではFe₄GeTe₂と絶縁体BN...
トンネル磁気抵抗(TMR)に対する新理論を提案〜TMR比向上の鍵「TMR振動」の解明に前進〜 0403電子応用

トンネル磁気抵抗(TMR)に対する新理論を提案〜TMR比向上の鍵「TMR振動」の解明に前進〜

2025-06-18 物質・材料研究機構NIMSは、磁気メモリに応用されるトンネル磁気抵抗(TMR)の向上に向け、絶縁層の厚さに伴うTMR比の振動(TMR振動)を説明する新理論を提案しました。従来不明だったこの振動の起源に対し、界面における...
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