トポロジカル・ディラック半金属

世界最高品質のα－スズ（α－Ｓｎ）薄膜をＩＩＩ－Ｖ族半導体インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）基板（００１）上に結晶成長（エピタキシャル成長）させることに成功し、α－Ｓｎ薄膜のさまざまなトポロジカル物性を初めて明らかにしました。