トポロジカル・ディラック半金属

世界最高品質の単元素トポロジカル・ディラック半金属を実現 1700応用理学一般

世界最高品質の単元素トポロジカル・ディラック半金属を実現

世界最高品質のα-スズ(α-Sn)薄膜をIII-V族半導体インジウムアンチモン(InSb)基板(001)上に結晶成長(エピタキシャル成長)させることに成功し、α-Sn薄膜のさまざまなトポロジカル物性を初めて明らかにしました。
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