スピン軌道トルク磁気抵抗メモリー(SOT-MRAM)

トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した 次世代不揮発性メモリー SOT-MRAMの実証に成功 0403電子応用

トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合を集積した 次世代不揮発性メモリー SOT-MRAMの実証に成功

トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合(MTJ)を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリー(SOT-MRAM)素子の作製と、比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよびトポロジカル絶縁体による低電流密度の書き込みの実証に成功した。
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