スピン軌道トルク磁気抵抗メモリー（ＳＯＴ－ＭＲＡＭ）

トポロジカル絶縁体と磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を集積したスピン軌道トルク磁気抵抗メモリー（ＳＯＴ－ＭＲＡＭ）素子の作製と、比較的高いトンネル磁気抵抗効果による読み出しおよびトポロジカル絶縁体による低電流密度の書き込みの実証に成功した。