スカンジウム

“エントロピー効果”により新規強誘電体窒化物を発見~低消費電力メモリや圧電センサ等への応用に期待~ 0402電気応用

“エントロピー効果”により新規強誘電体窒化物を発見~低消費電力メモリや圧電センサ等への応用に期待~

2025-06-23 東京科学大学理化学研究所と東京科学大学の研究チームは、AlNとGaNの合金にスカンジウム(Sc)を取り込むことで、新規な強誘電体窒化物膜を開発しました。エントロピー効果により従来より多くのScを結晶に取り込み、低電圧・...
スマートフォンの通信デバイスを小型化する新種のトランジスタ (New kind of transistor could shrink communications devices on smartphones) 0403電子応用

スマートフォンの通信デバイスを小型化する新種のトランジスタ (New kind of transistor could shrink communications devices on smartphones)

2023-03-08 アメリカ合衆国・ミシガン大学・ ミシガン大学が、スカンジウムを添加した窒化アルミニウム(ScAlN)の強誘電性半導体による高電子移動度トランジスタ(FeHEMTs)の実証に成功。・ 同大学では先般、次世代半導体の窒化ガ...
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