シリコンカーバイド(SiC)MOSFET

SiC MOSFETの高温環境下における信頼性向上と 電力損失低減を実現するデバイス構造を開発 0403電子応用

SiC MOSFETの高温環境下における信頼性向上と 電力損失低減を実現するデバイス構造を開発

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETの高温環境下における信頼性向上と電力損失低減を実現するデバイス構造を開発した。
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