シリコンカーバイド（SiC）半導体

シリコンカーバイド（SiC）半導体結晶基板上に作られた、単一原子層グラフェンの下にカルシウム（Ca）原子が入り込むことで超伝導が発現することを発見し、そのメカニズムを明らかにした。観測された超伝導の性質が従来想定されていたモデルでは説明できない特異なもので、非従来型超伝導で予想される電子状態が関与している可能性がある。