シナプス模倣

強誘電体酸化物の巨大抵抗変化を利用して脳型素子を実現~強誘電体の電気分極を用いてシナプスの機能を模倣する~ 0403電子応用

強誘電体酸化物の巨大抵抗変化を利用して脳型素子を実現~強誘電体の電気分極を用いてシナプスの機能を模倣する~

2025-09-09 東京大学東京大学の研究グループは、強誘電体チタン酸鉛(PbTiO₃)の高品質単結晶薄膜に酸素欠損を導入し、巨大な抵抗変化を示す新型メモリスタ素子を開発した。従来のPbTiO₃は絶縁性が強く電流が流れにくいが、欠損導入に...
AI向け半導体デバイスを前進(Advancing semiconductor devices for artificial intelligence) 0403電子応用

AI向け半導体デバイスを前進(Advancing semiconductor devices for artificial intelligence)

2025-03-28 シンガポール国立大学(NUS)シンガポール国立大学(NUS)の研究チームは、従来型シリコントランジスタ1個で神経細胞とシナプスの挙動を模倣できることを実証した。これは、エネルギー効率の高い脳型(ニューロモーフィック)コ...
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