ゲートオールアラウンド構造

最先端構造トランジスタを試作可能な共用プロセスを独自開発～300 mmウエハーの共用パイロットラインで新規装置・材料の技術検証が可能に～

2025-11-05 産業技術総合研究所Web要約の発言：産業技術総合研究所は、NEDO支援のもと東京エレクトロン、SCREENセミコンダクター、キヤノンと共同で、最先端ロジック半導体向けゲートオールアラウンド（GAA）構造トランジスタを...

2025-11-06

0107工場自動化及び産業機械

次世代3Dトランジスタがエネルギー効率の高い電子機器を変革（Next-Gen 3D Transistors Transform Energy-Efficient Electronics）

2025-03-19 カリフォルニア大学サンタバーバラ校 (UCSB)カリフォルニア大学サンタバーバラ校（UCSB）の研究者たちは、二次元（2D）半導体を用いた新しい三次元（3D）トランジスタ「NXFET」を開発し、エネルギー効率と性能の...

2025-03-20

0403電子応用