キラルイオンゲート

キラルイオンゲート技術を世界初実証~分子対称性によるトポロジカル表面磁性の超省電力制御に成功~ 0403電子応用

キラルイオンゲート技術を世界初実証~分子対称性によるトポロジカル表面磁性の超省電力制御に成功~

2025-10-14 東京大学東京大学生産技術研究所の松岡秀樹特任助教・金澤直也准教授らは、キラル(左右非対称)なイオン液体を用いた「キラルイオンゲート」技術を世界で初めて実証した。トポロジカル強磁性薄膜FeSi(111)に適用し、従来の非...
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