オン抵抗

SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発 0403電子応用

SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発

炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1.2 kV耐電圧(耐圧)クラスの縦型スーパージャンクション(SJ)MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
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