ウルツ鉱型窒化物

次世代半導体の電場保持メカニズム解明（Advanced microelectronics: Why a next-gen semiconductor doesn’t fall to pieces）

2025-04-16 ミシガン大学ミシガン大学の研究チームは、次世代半導体素材「ウルツ鉱型強誘電性窒化物」の開発に成功しました。この素材は、互いに反対の電気分極を同時に保持する特性を持ち、従来の半導体では不安定とされてきた「同じ電荷を持つ領...

2025-04-17

0403電子応用