ウエハースケール単結晶

次世代半導体MoS₂の革新的ウエハースケール成膜技術を開発～結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成～

2026-01-21 東京大学物質・材料研究機構（NIMS）と東京大学を中心とする研究グループは、有機金属化学気相成長法（MOCVD）を用いて、次世代半導体材料MoS₂のウエハースケール単結晶成膜技術を開発した。サファイア基板上で結晶粒が自...

2026-01-22

0403電子応用