炭化ケイ素(SiC)半導体

SiCモノリシックパワーICの開発に成功~世界初!SiC縦型MOSFETとSiC CMOSをワンチップ集積化~ 0403電子応用

SiCモノリシックパワーICの開発に成功~世界初!SiC縦型MOSFETとSiC CMOSをワンチップ集積化~

炭化ケイ素(SiC)半導体を用い、耐電圧1.2 kVクラスの縦型MOSFETと、CMOS構成された駆動回路を同一チップに集積したモノリシックパワーICを世界で初めて実現し、そのスイッチング動作を確認した。
SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発 0403電子応用

SiCを用いた次世代型トランジスタ構造を開発

炭化ケイ素(SiC)半導体を用いた1.2 kV耐電圧(耐圧)クラスの縦型スーパージャンクション(SJ)MOSFETを開発し、SiCトランジスタの世界最小オン抵抗を達成した。
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