2020-08-11 理化学研究所,科学技術振興機構,東京大学
理化学研究所（理研） 創発物性科学研究センター（ＣＥＭＳ） 強相関界面研究グループの中村 優男 上級研究員（科学技術振興機構（ＪＳＴ） さきがけ研究者）、畑田 大輝 研修生（東京大学 大学院生（ともに研究当時））、川﨑 雅司 グループディレクター（東京大学 大学院工学系研究科 教授）らの共同研究グループは、強誘電体を含む空間反転対称性の破れた物質に光を照射したときに発生する光電流が、結晶中の格子欠陥や格子振動による散乱を受けにくい「トポロジカル電流」としての性質を持つことを実証しました。
本研究成果は、エネルギー散逸の少ない光電流の発生機構を利用する、高効率の太陽電池や高感度の光検出器の開拓に貢献すると期待できます。
今回、共同研究グループは、強誘電性と半導体特性を併せ持つ硫化ヨウ化アンチモン（ＳｂＳＩ）において、結晶中の格子欠陥と光電流の関係を調べました。その結果、試料に電場を加えて発生する通常の電流は欠陥密度の大きさに強く依存するのに対し、光を照射してゼロ電場で発生する電流は欠陥密度の違いの影響をほとんど受けないことを明らかにしました。この欠陥に対する高い耐性は、発生している光電流が量子位相に駆動されるトポロジカル電流であることを示しています。
本研究は、科学雑誌「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｎａｔｉｏｎａｌ Ａｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ（ＰＮＡＳ）」オンライン版（８月１０日付：日本時間８月１１日）に掲載されます。
本研究は、ＪＳＴ 戦略的創造研究推進事業 個人型研究（さきがけ）「微小エネルギーを利用した革新的な環境発電技術の創出（研究総括：谷口 研二、副研究総括：秋永 広幸）」の研究課題「バルク光起電力効果による光電変換プロセスの機構解明と高効率化に向けた新材料開拓（研究者：中村 優男）」（Ｎｏ．ＪＰＭＪＰＲ１６Ｒ５）による支援を受けて行われました。
＜論文タイトル＞
- “Defect tolerant zero-bias topological photocurrent in a ferroelectric semiconductor”
＜お問い合わせ先＞
＜研究に関すること＞
中村 優男（ナカムラ マサオ）
理化学研究所 創発物性科学研究センター（ＣＥＭＳ） 強相関界面研究グループ 上級研究員
ＪＳＴ さきがけ研究者
畑田 大輝（ハタダ ヒロキ）
理化学研究所 創発物性科学研究センター（ＣＥＭＳ） 強相関界面研究グループ 研修生（研究当時）
東京大学 大学院生（研究当時）
川﨑 雅司（カワサキ マサシ）
理化学研究所 創発物性科学研究センター（ＣＥＭＳ） 強相関界面研究グループ グループディレクター
東京大学 大学院工学系研究科 教授
＜ＪＳＴ事業に関すること＞
嶋林 ゆう子（シマバヤシ ユウコ）
科学技術振興機構 戦略研究推進部 グリーンイノベーショングループ
＜報道担当＞
理化学研究所 広報室 報道担当
科学技術振興機構 広報課
東京大学 大学院工学系研究科 広報室
