0403電子応用 高輝度放射光で解き明かすシリコン酸化膜の成長過程 ～ナノデバイスの世界を支配する界面欠陥とキャリア捕獲～
2022-12-19 日本原子力研究開発機構,東北大学,福井工業高等専門学校 【発表のポイント】 半導体デバイスの作製には、酸化反応を制御し、欠陥の少ない良質なシリコン酸化膜を作製することが不可欠。しかし、ナノレベルの薄膜領域におけるシリコ...
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