17応用理学部門一覧

高強度テラヘルツパルスによる相変化材料の新たな結晶成長機構の発見~ナノスケールの新規メモリデバイス開発に期待~

高強度テラヘルツパルスを相変化材料GeSbTe化合物に照射すると、アモルファス状態からナノスケールで結晶成長する機構を発見した。世界最高強度のテラヘルツパルスの発生技術を駆使することで、ナノスケールの結晶成長が生じることを明らかにした.。

平成30年9月の地殻変動

電子基準点等のGNSS連続観測網(GEONET)の観測結果から求めた2018年8月下旬から2018年9月下旬までの1か月間の地殻変動、平成30年北海道胆振東部地震に伴う地殻変動が見られる。

超伝導不揮発メモリの実現

極低温で化合物IrTe2にパルス電流を加えることで超伝導状態を生成し、また生成された超伝導状態を異なるパルス電流で消去することに成功した。物質の状態制御により超伝導-非超伝導状態の書き換えをビットとした超伝導不揮発メモリ機能が実証された。

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