2018年10月06日一覧

超伝導不揮発メモリの実現

極低温で化合物IrTe2にパルス電流を加えることで超伝導状態を生成し、また生成された超伝導状態を異なるパルス電流で消去することに成功した。物質の状態制御により超伝導-非超伝導状態の書き換えをビットとした超伝導不揮発メモリ機能が実証された。

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