2018年5月30日 | テック・アイ技術情報研究所

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「宇宙線ミュオン」が電子機器の誤作動を引き起こす

J-PARC物質・生命科学実験施設(MLF)のミュオン実験装置MUSEにて、半導体デバイスに対するミュオン照射試験を行い、正ミュオンに比べて負ミュオンの方がメモリ情報のビット反転の発生確率が高くなることを実験的に初めて明らかにした。