発表・掲載日：2017/12/05
1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発
－ハイブリッド車(HEV)/電気自動車(EV)向けの高効率・高信頼パワーモジュール実現へ－
ポイント
- 1200 V耐圧クラスのトランジスタの量産レベル試作品で内蔵ダイオードが順方向劣化しないことを実証
- ショットキーバリアダイオード（トレンチSBD）内蔵のSiC縦型トレンチMOSFET（トランジスタ）を開発
- HEVやEV向けのオール炭化ケイ素（SiC）パワーモジュールの高効率化・高信頼性化に貢献
概要
国立研究開発法人 産業技術総合研究所【理事長 中鉢 良治】（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センター【研究センター長 奥村 元】SiCパワーデバイスチーム 原田 信介 研究チーム長らのグループは、富士電機株式会社との共同研究で、炭化ケイ素（SiC）半導体を用いた1200 V（ボルト）耐電圧（耐圧）クラスのトランジスタである縦型MOSFETとして、低いオン抵抗と内蔵ダイオードの高い信頼性を両立した独自構造のデバイス（SWITCH-MOS：SBD-Wall Integrated Trench MOS)を開発し、量産レベルの試作品で性能を実証した。
